《Ieee Transactions On Electron Devices》出版語(yǔ)言：English，具體論文語(yǔ)言需根據(jù)相關(guān)征稿要求而定，可聯(lián)系雜志社或在線客服。
該雜志是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的國(guó)際知名學(xué)術(shù)期刊，創(chuàng)刊于1954年，出版語(yǔ)言：English，專注于工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，重點(diǎn)介紹工程技術(shù)-工程：電子與電氣的最新關(guān)鍵主題。每篇文章都是對(duì)該主題的最新、完整的總結(jié)，方便尚未深入研究的人閱讀。
《IEEE 電子器件學(xué)報(bào)》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn)，涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料，應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動(dòng)器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評(píng)論論文，偶爾還會(huì)出版專刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。
此外，關(guān)于《Ieee Transactions On Electron Devices》的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)如下：
（1）JCR分區(qū)信息：按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)：Q2，按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)：Q2
JCR分區(qū)信息
Ieee Transactions On Electron Devices（2023-2024年最新版數(shù)據(jù)）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3%
|
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18%
|
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2%
|
湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》（Journal Citation Reports，簡(jiǎn)稱JCR）。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子（Impact Factor）等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中，主要參考當(dāng)年IF，最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。
（2）Cite Score（2024年最新版）
Cite Score（2024年最新版）
- CiteScore：5.8
- SJR：0.785
- SNIP：1.223
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 221 / 797 |
72%
|
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 82 / 284 |
71%
|
CiteScore：該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出，指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是：例如，某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù)，除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。
（3）在中科院分區(qū)表中，大類學(xué)科中工程技術(shù)為：2區(qū)，小類學(xué)科中PHYSICS, APPLIED工程技術(shù)-工程：電子與電氣：2區(qū)
中科院分區(qū)信息
IEEE Transactions On Electron Devices2023年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) |
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
|
2區(qū)
3區(qū)
|
否 | 否 |
IEEE Transactions On Electron Devices2022年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) |
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
|
2區(qū)
3區(qū)
|
否 | 否 |
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) |
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
|
2區(qū)
3區(qū)
|
否 | 否 |
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
|
3區(qū)
3區(qū)
|
否 | 否 |
IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) |
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
|
2區(qū)
3區(qū)
|
否 | 否 |
IEEE Transactions On Electron Devices2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣
PHYSICS, APPLIED
物理：應(yīng)用
|
2區(qū)
2區(qū)
|
是 | 否 |
中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中，主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力，最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的，各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。
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