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    Ieee Transactions On Electron Devices

    IEEE Transactions On Electron Devices SCIE

    Ieee Transactions On Electron Devices

    約4.7個月 審稿時間

    2區中科院分區

    Q2JCR分區

    2.9影響因子

    0018-9383

    1557-9646

    IEEE T ELECTRON DEV

    UNITED STATES

    工程技術 - 工程:電子與電氣

    1954

    165

    Monthly

    English

    1084

    0.16...

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    期刊簡介

    IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術-工程:電子與電氣學術刊物,主要報道工程技術-工程:電子與電氣相關領域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創刊于1954年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區等級:Q2,2023年發布的影響因子為2.9,CiteScore指數5.8,SJR指數0.785。本刊非開放獲取期刊。

    《IEEE 電子器件學報》發表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創和重要貢獻,涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料,應用于生物電子學、生物醫學電子學、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米電子學、光電子學、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發表了關于這些主題的教程和評論論文,偶爾還會出版專刊,介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領域的論文。

    中科院分區信息

    IEEE Transactions On Electron Devices2023年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
    IEEE Transactions On Electron Devices2022年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
    IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月舊的升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
    IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月基礎版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
    IEEE Transactions On Electron Devices2021年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區
    IEEE Transactions On Electron Devices2020年12月舊的升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 2區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 2區 2區
    名詞解釋:

    中科院JCR期刊分區(又稱分區表、分區數據)是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區表中,主要參考3年平均IF作為學術影響力,最終每個分區的期刊累積學術影響力是相同的,各區的期刊數量由高到底呈金字塔式分布。

    JCR分區信息

    Ieee Transactions On Electron Devices(2023-2024年最新版數據)
    按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352
    59.5%
    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179
    62.3%
    按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354
    59.18%
    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179
    66.2%
    名詞解釋:

    湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數加以統計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當年IF,最終每個分區的期刊數量是均分的。

    期刊數據統計

    1、Cite Score(2024年最新版)
    學科類別 分區 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797
    72%
    大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284
    71%
    名詞解釋:

    CiteScore:該指標由Elsevier于2016年提出,指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScorer的計算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發表的文章在2022年獲得的被引次數,除以該期刊2019年、2020年和2021發表并收錄于Scopus中的文章數量總和。

    2、綜合數據
    3、本刊綜合數據對比及走勢

    文章引用數據

    文章名稱 引用次數
    • Fully Inkjet-Printed Photodetector Using...

      42
    • Effects of Postannealing on the Characte...

      37
    • Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0....

      28
    • Demonstration of Constant 8 W/mm Power D...

      27
    • Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO2...

      22
    • 2-D Layered Materials for Next-Generatio...

      20
    • High Endurance Ferroelectric Hafnium Oxi...

      20
    • BTI Analysis Tool-Modeling of NBTI DC, A...

      20
    • Improved Switching Stability and the Eff...

      18
    • Design and Investigation of Charge-Plasm...

      17

    期刊被引用數據

    期刊名稱 引用次數
    • IEEE T ELECTRON DEV

      3214
    • IEEE ELECTR DEVICE L

      865
    • JPN J APPL PHYS

      565
    • IEEE J ELECTRON DEVI

      499
    • SOLID STATE ELECTRON

      431
    • IEEE ACCESS

      422
    • SEMICOND SCI TECH

      412
    • J APPL PHYS

      400
    • APPL PHYS LETT

      388
    • J COMPUT ELECTRON

      284

    期刊引用數據

    期刊名稱 引用次數
    • IEEE T ELECTRON DEV

      3214
    • IEEE ELECTR DEVICE L

      1587
    • APPL PHYS LETT

      1366
    • J APPL PHYS

      866
    • SOLID STATE ELECTRON

      384
    • PHYS REV B

      305
    • ADV MATER

      238
    • MICROELECTRON RELIAB

      235
    • NANO LETT

      209
    • ACS APPL MATER INTER

      195

    國家/地區發文數據

    國家/地區名 數量
    • CHINA MAINLAND

      741
    • USA

      455
    • India

      399
    • Taiwan

      232
    • South Korea

      181
    • GERMANY (FED REP GER)

      149
    • Japan

      123
    • Italy

      111
    • France

      110
    • England

      100

    機構發文數據

    機構名 數量
    • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

      239
    • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN...

      123
    • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

      92
    • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

      81
    • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM

      76
    • IMEC

      74
    • PEKING UNIVERSITY

      66
    • XIDIAN UNIVERSITY

      58
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

      57
    • NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

      50

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    若用戶需要出版服務,請聯系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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