《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志拒稿后是可以轉投其他期刊的， 但需要注意以下幾點：
一、確認拒稿狀態：在轉投之前，作者必須確保文章確實已被《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志拒稿。如果尚未收到明確的拒稿通知，建議耐心等待或主動向雜志社詢問審稿進度和結果。
二、修改論文：根據審稿意見修改論文，確保解決提出的問題，并改進論文的結構、方法、論證等方面。
三、轉刊操作建議
優先選擇同出版社期刊?：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.旗下其他工程技術雜志可能更易接收。?
選擇匹配度更高的期刊：參考JCR分區、影響因子、收稿方向，避免因“主題不符”再次被拒。
附修改說明?：轉投時建議提交針對前次拒稿意見的改進說明，提升通過率。
四、注意事項
避免一稿多投，保持耐心和信心。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志概括
國際標準簡稱：IEEE T ELECTRON DEV
創刊時間：1954年
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
出版語言：English
出版地區：UNITED STATES
ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646
收錄數據庫：SCIE
學科領域：工程技術-工程：電子與電氣（PHYSICS, APPLIED）
期刊定位：專注于發表物理：應用領域的文章，旨在為研究人員提供該領域的最新研究成果和前沿動態。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志審稿周期預計為： 約4.7個月 ，年發文量：約1084篇，H-index：165。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志數據
（1）影響因子
該雜志的影響因子為2.9，在物理：應用領域具有較高的學術影響力。
（2）分區情況
中科院分區：
大類學科：工程技術2區。
小類學科：PHYSICS, APPLIED物理：應用2區。
JCR分區：
按JIF指標學科分區分區：Q2區; 按JCI指標學科分區分區：Q2區;
（3）CiteScore
CiteScore數值為5.8，（ 小類學科：PHYSICS, APPLIED，分區為Q2，百分位：72%。小類學科：PHYSICS, APPLIED，分區為Q2，百分位：71%。)
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