《Ieee Transactions On Electron Devices》國際標準刊號?ISSN：0018-9383，電子期刊的國際標準刊號：1557-9646。
創(chuàng)刊時間：1954年
出版周期：Monthly
出版語言：English
國際簡稱：IEEE T ELECTRON DEV
研究方向：工程技術 - 工程：電子與電氣
期刊定位與內容：
IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的學術刊物，主要報道工程技術-工程：電子與電氣相關領域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊，該刊創(chuàng)刊于1954年，出版周期Monthly。
《IEEE Transactions On Electron Devices》發(fā)表專家撰寫的簡短易懂的評論，重點介紹物理：應用的最新關鍵主題。每篇文章都是對該主題的最新、完整的總結，方便尚未深入研究的人閱讀。
《IEEE 電子器件學報》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性有關的原創(chuàng)和重要貢獻，涉及絕緣體、金屬、有機材料、微等離子體、半導體、量子效應結構、真空器件和新興材料，應用于生物電子學、生物醫(yī)學電子學、計算、通信、顯示器、微機電、成像、微致動器、納米電子學、光電子學、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關于這些主題的教程和評論論文，偶爾還會出版專刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領域的論文。
出版周期與發(fā)文量：
該雜志出版周期Monthly，每月發(fā)布一期。近年來，該期刊的年發(fā)文量約為1084篇。
學術影響力：
2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級：Q2，2023年發(fā)布的影響因子為2.9，CiteScore指數(shù)5.8，SJR指數(shù)0.785。本刊非開放獲取期刊。
Cite Score（2024年最新版）
- CiteScore：5.8
- SJR：0.785
- SNIP：1.223
| 學科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 221 / 797 |
72%
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| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 82 / 284 |
71%
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CiteScore：該指標由Elsevier于2016年提出，指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計算方式是：例如，某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù)，除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。
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