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    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

    Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

    較慢,6-12周 審稿時間

    3區中科院分區

    Q2JCR分區

    2.5影響因子

    1530-4388

    1558-2574

    IEEE T DEVICE MAT RE

    UNITED STATES

    工程技術 - 工程:電子與電氣

    2001

    63

    Quarterly

    English

    72

    0.05

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    期刊簡介

    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術-工程:電子與電氣學術刊物,主要報道工程技術-工程:電子與電氣相關領域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創刊于2001年,出版周期Quarterly。2021-2022年最新版WOS分區等級:Q2,2023年發布的影響因子為2.5,CiteScore指數4.8,SJR指數0.436。本刊非開放獲取期刊。

    出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設備、材料、工藝、接口、集成微系統(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應用。從概念階段到研發再到制造規模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產品推向市場提供了設備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數據庫。這個可靠性數據庫是滿足客戶期望的優質產品的基礎。這樣開發的產品具有高可靠性。高質量將實現,因為產品弱點將被發現(根本原因分析)并在最終產品中設計出來。這個不斷提高可靠性和質量的過程將產生卓越的產品。歸根結底,可靠性和質量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產品在客戶條件下在現場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關注電子材料和設備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇。總體目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產品的創造至關重要。

    中科院分區信息

    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2023年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2022年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月舊的升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月基礎版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2020年12月舊的升級版
    大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
    工程技術 3區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區 4區
    名詞解釋:

    中科院JCR期刊分區(又稱分區表、分區數據)是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區表中,主要參考3年平均IF作為學術影響力,最終每個分區的期刊累積學術影響力是相同的,各區的期刊數量由高到底呈金字塔式分布。

    JCR分區信息

    Ieee Transactions On Device And Materials Reliability(2023-2024年最新版數據)
    按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352
    53.3%
    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179
    51.7%
    按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
    學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354
    47.6%
    學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179
    44.97%
    名詞解釋:

    湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數加以統計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當年IF,最終每個分區的期刊數量是均分的。

    期刊數據統計

    1、Cite Score(2024年最新版)
    學科類別 分區 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207
    68%
    大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797
    65%
    大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284
    63%
    名詞解釋:

    CiteScore:該指標由Elsevier于2016年提出,指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScorer的計算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發表的文章在2022年獲得的被引次數,除以該期刊2019年、2020年和2021發表并收錄于Scopus中的文章數量總和。

    2、綜合數據
    3、本刊綜合數據對比及走勢

    文章引用數據

    文章名稱 引用次數
    • A First-Principles Study of the SF6 Deco...

      23
    • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its...

      9
    • Comparative Thermal and Structural Chara...

      9
    • Output-Power Enhancement for Hot Spotted...

      8
    • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T...

      7
    • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi...

      7
    • Impacts of Process and Temperature Varia...

      6
    • Comparative Study of Reliability of Ferr...

      6
    • A Compact and Self-Isolated Dual-Directi...

      6
    • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat...

      6

    期刊被引用數據

    期刊名稱 引用次數
    • IEEE T ELECTRON DEV

      127
    • IEEE T DEVICE MAT RE

      93
    • MICROELECTRON RELIAB

      88
    • IEEE ACCESS

      47
    • IEEE T NUCL SCI

      37
    • IEEE ELECTR DEVICE L

      36
    • IEICE ELECTRON EXPR

      35
    • IEEE T POWER ELECTR

      31
    • J MATER SCI-MATER EL

      31
    • ELECTRONICS-SWITZ

      30

    期刊引用數據

    期刊名稱 引用次數
    • IEEE T ELECTRON DEV

      167
    • IEEE T NUCL SCI

      116
    • MICROELECTRON RELIAB

      100
    • IEEE T DEVICE MAT RE

      93
    • IEEE ELECTR DEVICE L

      69
    • APPL PHYS LETT

      59
    • J APPL PHYS

      44
    • IEEE T COMP PACK MAN

      24
    • IEEE J SOLID-ST CIRC

      23
    • IEEE T POWER ELECTR

      23

    國家/地區發文數據

    國家/地區名 數量
    • USA

      52
    • CHINA MAINLAND

      51
    • India

      50
    • Taiwan

      35
    • France

      20
    • Italy

      18
    • Belgium

      15
    • Austria

      14
    • Japan

      13
    • GERMANY (FED REP GER)

      12

    機構發文數據

    機構名 數量
    • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

      23
    • IMEC

      15
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

      14
    • STMICROELECTRONICS

      10
    • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN

      9
    • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

      8
    • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

      8
    • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES

      7
    • GLOBALFOUNDRIES

      7
    • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

      6

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