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    《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志論文投稿方向是什么?

    來(lái)源:好投稿網(wǎng)整理 2025-04-07 14:45:06

    《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志論文投稿方向:器件物理、射頻器件與電路、微電子學(xué)、光電子學(xué)、半導(dǎo)體材料等。

    想確定論文的投稿方向,可以參考以下方法:

    1.明確研究領(lǐng)域:通過(guò)查閱相關(guān)領(lǐng)域的權(quán)威文獻(xiàn)和綜述,了解當(dāng)前研究的熱點(diǎn)和前沿方向,從而精準(zhǔn)定位研究領(lǐng)域。

    2.參考已發(fā)表論文:可以利用學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)搜索相關(guān)論文,了解它們的投稿去向。

    3.查閱雜志官網(wǎng):仔細(xì)閱讀雜志官方網(wǎng)站上的投稿指南、欄目范圍和征稿啟事,確保雜志的收稿范圍與論文研究方向相符。

    4.咨詢導(dǎo)師和同行:向?qū)熁蛲姓?qǐng)教,了解他們常投的雜志及原因。

    5.關(guān)注期刊的其他因素:選擇與論文質(zhì)量相匹配的雜志,同時(shí)考慮雜志的學(xué)術(shù)影響力。

    《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志為統(tǒng)計(jì)源期刊,由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管,創(chuàng)刊于1981年,具有深厚的歷史底蘊(yùn)與廣泛的學(xué)術(shù)影響力,該雜志影響因子為0.29,這一數(shù)據(jù)表明該雜志在電子領(lǐng)域具有較高的影響力和學(xué)術(shù)價(jià)值。

    雜志往年影響因子、被引次數(shù)統(tǒng)計(jì)表

    關(guān)于影響因子的名詞解釋

    影響因子:指該期刊近兩年文獻(xiàn)的平均被引用率,即該期刊前兩年論文在評(píng)價(jià)當(dāng)年每篇論文被引用的平均次數(shù)。

    綜合影響因子:是以基礎(chǔ)研究、技術(shù)研究、技術(shù)開(kāi)發(fā)類(lèi)科技期刊及引證科技期刊的人文社會(huì)科學(xué)基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和工作研究期刊作為期刊綜合統(tǒng)計(jì)源文獻(xiàn)計(jì)算,被評(píng)價(jià)期刊前兩年發(fā)表的可被引文獻(xiàn)在統(tǒng)計(jì)年的被引用總次數(shù)與該期刊在前兩年內(nèi)發(fā)表的可被引文獻(xiàn)總量之比。

    審稿周期:如果需要在特定時(shí)間內(nèi)發(fā)表論文,選擇審稿周期較短的期刊會(huì)更為合適。《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志審稿周期為預(yù)計(jì)1-3個(gè)月。

    讀者群體:根據(jù)論文的研究類(lèi)型,選擇適合的期刊,以擴(kuò)大論文的傳播范圍。該雜志讀者群體包括電子科研人員,電子管理者,電子研究者或熱心電子事業(yè)的同志。?

    《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志作為國(guó)內(nèi)知名的電子類(lèi)期刊,多個(gè)重要數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,如統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬(wàn)方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)、國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏等,體現(xiàn)了其較高的學(xué)術(shù)水平和影響力。

    總之,該雜志以其豐富的欄目設(shè)置、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)術(shù)態(tài)度和廣泛的讀者群體,成為電子領(lǐng)域的重要學(xué)術(shù)平臺(tái),為深化電子改革、繁榮電子科學(xué)貢獻(xiàn)了重要力量。

    固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志文章分期部分匯總

    • 高電流密度金剛石肖特基勢(shì)壘二極管研究

      郁鑫鑫; 周建軍; 王艷豐; 邱風(fēng); 孔月嬋; 王宏興; 陳堂勝
    • 6.5 kV,5 A 4H-SiC功率DMOSFET器件

      楊立杰; 李士顏; 劉昊; 黃潤(rùn)華; 李赟; 柏松
    • 4H-SiC PIN二極管的正向特性計(jì)算模型

      張滿紅; 曹正春
    • 基于SiC的NPN雙極型晶體管設(shè)計(jì)

      冷賀彬; 朱平
    • 基于InP DHBT工藝的32.2 GHz超高速全加器

      李曉鵬; 王志功; 張有濤; 張敏; 程偉; 張翼; 陳新宇

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    主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司

    主辦單位:南京電子器件研究所

    國(guó)際刊號(hào):1000-3819

    國(guó)內(nèi)刊號(hào):32-1110/TN

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