聚合物光波導的反應離子刻蝕工藝研究

摘要：實驗研究了表面粗糙度、側壁垂直度與各刻蝕參量之間的關系，通過對刻蝕效果的分析，發現在低功率、高CHF3含量、低壓強的情況下能獲得最小的表面粗糙度；在高功率、50％CHF3含量、低壓強的情況下能獲得較陡直的波導側壁。利用優化的刻蝕條件，對PMMA進行刻蝕，得到了均方根粗糙度小、側壁陡直的波導。實驗發現，該刻蝕條件對其他聚合物光波導材料的刻蝕也具有一定的指導意義。