摘要：近年來,隨著氧化鎵(Ga2O3)晶體生長(zhǎng)技術(shù)取得突破性進(jìn)展,氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用成為國(guó)際上超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。綜述了β-Ga2O3襯底的一些優(yōu)點(diǎn)以及面臨的挑戰(zhàn),重點(diǎn)介紹了如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸。圍繞采用低功函數(shù)金屬、表面預(yù)處理、襯底摻雜和引入中間層的方法,闡述了目前國(guó)際上金屬/β-Ga2O3歐姆接觸的最新研究進(jìn)展?？偨Y(jié)了不同實(shí)驗(yàn)條件下可以獲得的比接觸電阻,目前可以獲得的最低比接觸電阻是4.6×10^-6Ω·cm^2。最后,預(yù)測(cè)未來金屬/β-Ga2O3歐姆接觸的主要研究方向是提高歐姆接觸的熱穩(wěn)定性。