摘要：基于抗輻照0.18μm CMOS工藝,研究ESD保護(hù)器件GGNMOS結(jié)構(gòu)的ESD性能。為提升電路抗輻照性能,采用薄外延襯底材料且引入場區(qū)總劑量加固工藝技術(shù),提升電路的抗單粒子閂鎖能力SEL使之大于75MeV,同時令抗總劑量輻射能力達(dá)到300krad(Si)。在抗輻照工藝開發(fā)過程中,發(fā)現(xiàn)上述工藝加固措施會對器件抗ESD能力產(chǎn)生較大影響,因此在原有的ESD工藝基礎(chǔ)上,對器件結(jié)構(gòu)與ESD工藝進(jìn)行優(yōu)化。將優(yōu)化后GGNMOS器件應(yīng)用于抗輻照電路的開發(fā)當(dāng)中進(jìn)行實際驗證,結(jié)果表明,電路的抗ESD能力大于3000V,滿足了抗輻照加固工藝的應(yīng)用需求。