首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無線電電子學(xué) > 紅外與激光工程 > 熱應(yīng)力加速試驗評定碲鎘汞焦平面陣列像元儲存壽命 【正文】
摘要:高可靠性長壽命碲鎘汞焦平面陣列像元性能參數(shù)慢慢變差退化失效,確定它的儲存壽命要用B類試驗縮短試驗時間。有效加速壽命試驗ALT或加速退化試驗ADT的恒定熱應(yīng)力,應(yīng)大于高溫+90℃、2 160 h。定量加速試驗前,應(yīng)進行高加速應(yīng)力篩選試驗HASS迫使缺陷發(fā)展,以暴露可能存在的早期故障。根據(jù)碲鎘汞紅外焦平面探測器杜瓦組件高溫儲存試驗性能退化測試數(shù)據(jù),用統(tǒng)計模型對在恒定高溫應(yīng)力水平下獲得的失效時間或退化特征性能參數(shù)進行轉(zhuǎn)換,得到在+25℃額定應(yīng)力水平下的儲存壽命大于50年。超過3 000 h高溫儲存試驗結(jié)果表明,殘余工藝應(yīng)力釋放導(dǎo)致試驗前1 500 h像元性能有向好的趨勢,在高溫+80℃的真空環(huán)境下烘烤20天不會造成明顯的像元性能惡化。
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