首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無線電電子學(xué) > 紅外與毫米波學(xué)報 > 數(shù)字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進(jìn) 【正文】
數(shù)字遞變異變贗襯底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光電探測器的性能改進(jìn)
- 數(shù)字遞變
- 異變
- 緩沖
- ingaas
- 光電探測器
摘要：研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 數(shù)字遞變異變緩沖層結(jié)構(gòu)( DGMB)的總周期數(shù)對2. 6 μm 延伸波長In0. 83Ga0. 17As 光電二極管性能的影響.實(shí)驗(yàn)表明,在保持總緩沖層厚度不變的情況下,通過將在InP 襯底上生長的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 結(jié)構(gòu)的總周期數(shù)從19 增加到38,其上所生長的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光電二極管材料層的晶體質(zhì)量得到了顯著改善.對于在總周期數(shù)為38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光電二極管,觀察到其應(yīng)變弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致發(fā)光強(qiáng)度和光響應(yīng)度均增強(qiáng),同時暗電流水平被顯著抑制.這些結(jié)果表明,隨著總周期數(shù)目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位錯的傳遞并降低殘余缺陷密度.
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