摘要：針對以MOSFET為開關(guān)器件的雙有源橋DC-DC變換器,提出一種漏感和變壓器變比參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計方法,克服了傳統(tǒng)參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方法無法兼顧計算復(fù)雜度和效率優(yōu)化效果的問題。首先,由無損電路模型推出了雙有源橋變換器的參數(shù)優(yōu)化問題,通過損耗成分及最壞工況分析,簡化了參數(shù)優(yōu)化問題。然后,推導(dǎo)得到了單移相調(diào)制和統(tǒng)一的三移相調(diào)制方法的最優(yōu)電路參數(shù)的表達(dá)式,可直接計算得到最優(yōu)參數(shù)值。最后,在搭建的1kW雙有源橋變換器實驗平臺,驗證兩種調(diào)制方法下所提參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方法的有效性。實驗結(jié)果表明,所提方法與實際最優(yōu)參數(shù)對應(yīng)的最壞工況效率的最大誤差為0.3%,相比傳統(tǒng)固定參數(shù)方法最壞效率高了2%,有效地提升了雙有源橋變換器的效率性能。